[发明专利]掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法有效
| 申请号： | 201811535059.5 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109468584B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 孙朴 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法。所述掩膜版组合包括第一掩膜版和第二掩膜版，其中，所述第一掩膜版包括多个第一遮光区、多个第一透光区和至少一个第一遮光岛，所述第一遮光岛覆盖部分所述第一遮光区和第一透光区；所述第一遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相连；所述第二掩膜版包括多个第二遮光区、多个第二透光区和至少一个第二遮光岛，所述第二遮光岛覆盖部分所述第二遮光区和第二透光区；所述第二遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相接触；所述第一遮光区和所述第二遮光区互补设置，所述第一透光区和所述第二透光区互补设置；所述第一遮光岛和所述第二遮光岛具有相同的形状、尺寸，且彼此重叠设置。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 组合 使用 半导体 薄膜 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版组合，其特征在于，包括第一掩膜版和第二掩膜版，所述第一掩膜版和第二掩膜版具有相同的形状和大小，其中，所述第一掩膜版包括多个第一遮光区、多个第一透光区和至少一个第一遮光岛，所述多个第一遮光区和第一透光区彼此平行，且在所述第一掩膜版上间隔分布，所述第一遮光岛覆盖部分所述第一遮光区和第一透光区；所述第一遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相连；所述第二掩膜版包括多个第二遮光区、多个第二透光区和至少一个第二遮光岛，所述多个第二遮光区和第二透光区彼此平行，且在所述第二掩膜版上间隔分布，所述第二遮光岛覆盖部分所述第二遮光区和第二透光区；所述第二遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相接触；其中，所述第一遮光区和所述第二遮光区互补设置，所述第一透光区和所述第二透光区互补设置；所述第一透光岛和所述第二透光岛具有相同的形状、尺寸和位置，且彼此重叠设置。
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