[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811535511.8 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109962111A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 可知刚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件及其制造方法，其能够避免生成在漏极与源极之间流动的直通电流，并且能够抑制场板电极中的电位随时间的波动。漏极区被布置在半导体衬底的第一表面上，源极区被布置在半导体衬底的第二表面上，并且漂移区被布置在漏极区与源极区之间。半导体衬底具有沟槽，其从第二表面延伸到漂移区中。场板电极被布置在沟槽内，以与漏极区电绝缘并且与漂移区相对地绝缘。齐纳二极管电耦合在源极区与场板电极之间。齐纳二极管被耦合在从源极区到场板电极的正向方向上。 | ||
| 搜索关键词： | 源极区 场板电极 漏极区 漂移区 衬底 半导体 半导体器件 齐纳二极管 第二表面 电位 第一表面 直通电流 耦合 板电极 电绝缘 电耦合 绝缘 漏极 源极 正向 制造 延伸 流动 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有彼此面对的第一表面和第二表面；作为漏极区的第一导电类型的第一掺杂区，被布置在所述半导体衬底的所述第一表面上；作为源极区的所述第一导电类型的第二掺杂区，被布置在所述半导体衬底的所述第二表面上；以及所述第一导电类型的漂移区，在所述半导体衬底内被布置在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间，并且具有比所述第一掺杂区低的所述第一导电类型的掺杂浓度，其中所述半导体衬底包括沟槽，所述沟槽从所述第二表面延伸到所述漂移区中；第一场板电极，被布置在所述沟槽内，以与所述第一掺杂区电绝缘、并且与所述漂移区相对地绝缘；以及第一齐纳二极管，被电耦合在所述第二掺杂区与所述第一场板电极之间，所述第一齐纳二极管被耦合在从所述第二掺杂区到所述第一场板电极的正向方向上。
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