[发明专利]一种利用Ga2O3薄膜催化降解有机污染物的装置在审
| 申请号： | 201811538246.9 | 申请日： | 2018-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN109529800A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 邓金祥;张浩;杨倩倩;李瑞东;徐智洋;孙俊杰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B01J23/08 | 分类号： | B01J23/08;B01J35/00;B01J37/02;A62D3/176;A62D101/20 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用Ga2O3薄膜催化降解有机污染物的装置，属于半导体材料光催化降解有机污染物领域。在容器中设置卡槽，将沉积了一层Ga2O3薄膜材料的石英基片卡在卡槽中，以便重复利用Ga2O3薄膜催化降解有机污染物。采用石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，对石英基片进行超声清洗；采用射频磁控溅射设备在石英基片上沉积一层Ga2O3薄膜材料；采用管式炉对Ga2O3薄膜材料进行退火处理；将附着Ga2O3薄膜的石英片放入容器卡槽中，在紫外光照下进行有机污染物降解。本发明采用磁控溅射法在石英基片上沉积一层纳米尺寸的Ga2O3薄膜，在容器中设置卡槽完成对石英基片的固定，实现了对Ga2O3材料的重复利用。 | ||
| 搜索关键词： | 石英基片 薄膜 催化降解有机污染物 卡槽 薄膜材料 沉积 重复利用 石英片 射频磁控溅射设备 有机污染物降解 半导体材料 磁控溅射法 光催化降解 有机污染物 薄膜生长 超声清洗 放入容器 退火处理 紫外光照 管式炉 附着 | ||
【主权项】：
1.一种利用Ga2O3薄膜催化降解有机污染物的方法，其特征在于：(1)采用石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，对石英基片进行超声清洗；(2)采用射频磁控溅射设备在石英基片上沉积一层Ga2O3薄膜材料；(3)采用管式炉对Ga2O3薄膜材料进行退火处理；(4)将附着Ga2O3薄膜的石英片放入容器卡槽中，在紫外光照下进行有机污染物降解。
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