[发明专利]纳米剑麻基SFMC(A/B)n层层自组装阻燃复合材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811538427.1 申请日: 2018-12-16
公开(公告)号: CN109734966A 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 刘婵娟;牛红超;黄孝华;韦春;徐旭 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: C08L1/04 分类号: C08L1/04;C08L83/08;C08L25/18;C08L79/02;C08L101/00;C08K5/521;C08K3/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广西壮*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种纳米剑麻基SFMC(A/B)n层层自组装阻燃复合材料及其制备方法。该纳米剑麻基SFMC(A/B)n层层自组装阻燃复合材料是由基材和修饰层组成,所述基材为剑麻纤维素微晶,所述修饰层是聚阳离子电解质和聚阴离子电解质,聚阳离子电解质和聚阴离子电解质通过静电层层自组装交替沉积于剑麻纤维素微晶表面。本发明所用原料成本低廉,且制备方法简单易行,为制备高性能纳米剑麻基阻燃复合材料提供了可行性方案,应用前景广阔。
搜索关键词: 剑麻 阻燃复合材料 层层自组装 制备 聚阳离子电解质 聚阴离子电解质 纤维素 修饰层 基材 微晶 应用前景广阔 制备高性能 交替沉积 原料成本 静电
【主权项】:
1.一种纳米剑麻基SFMC(A/B)n层层自组装阻燃复合材料,其特征在于该阻燃复合材料由基材和修饰层组成,所述基材为剑麻纤维素微晶,所述修饰层是聚阳离子电解质和聚阴离子电解质,聚阳离子电解质和聚阴离子电解质通过静电层层自组装交替沉积于剑麻纤维素微晶表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林理工大学,未经桂林理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811538427.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top