[发明专利]等离子处理装置有效
| 申请号： | 201811538843.1 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109935512B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 卢克·约瑟夫·辛贝勒;园田靖;植村崇;市丸朋祥;佐佐木惇也 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 高颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子处理装置，能将处理气体和前体气体稳定地供给到处理室。本发明的等离子处理装置具备：对样品进行等离子处理的处理室；供给用于生成等离子的高频电力的高频电源；载置所述样品的样品台；和对所述处理室供给气体的气体供给部，该等离子处理装置的特征在于，所述气体供给部具备：将作为蚀刻处理用气体的第一气体供给到所述处理室的第一配管；将作为蚀刻处理用气体的第二气体供给到所述处理室的第二配管；和流过作为沉积处理用气体的第三气体并与所述第二配管连接的第三配管，所述第二配管配置有防止所述第三气体流向所述第二气体的供给源的方向的第四阀。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置，具备：处理室，对样品进行等离子处理；高频电源，供给用于生成等离子的高频电力；样品台，载置所述样品；和气体供给部，对所述处理室供给气体，所述等离子处理装置的特征在于，所述气体供给部具备：第一配管，将作为蚀刻处理用气体的第一气体供给到所述处理室；第二配管，将作为蚀刻处理用气体的第二气体供给到所述处理室；和第三配管，流过作为沉积处理用气体的第三气体并与所述第二配管连接，所述第二配管配置有防止所述第三气体流向所述第二气体的供给源的方向的第四阀。
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