[发明专利]基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811539285.0 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111326610A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;任芳;张硕;尹越;王蕴玉;梁萌;伊晓燕;袁国栋;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法，该芯片包括：绝缘衬底；石墨烯层，生长于绝缘衬底上；纳米柱LED，间隔生长在所述石墨烯层上，所述纳米柱LED自衬底至上包括：n‑GaN层、多量子阱发光层和p‑GaN层；SOG填充物，填充在所述纳米柱LED的间隔及周围部分，用于隔离纳米柱LED，避免短路；氧化铟锡透明导电层，连接所述纳米柱LED的p‑GaN层及所述SOG填充物，实现电流扩展；以及p/n电极，实现绝缘衬底上纳米柱LED芯片制备。本发明借助石墨烯缓冲层，在绝缘衬底上通过光刻工艺，在纳米柱生长之前覆盖n电极区域，生长之后暴露出n电极区域的石墨烯层以做n电极的电流扩展层，实现绝缘衬底上纳米柱n电极的引出。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 绝缘 衬底 纳米 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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