[发明专利]一种垂直结构LED晶圆及剥离方法在审
| 申请号： | 201811539293.5 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109545931A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨振大;郑洪仿;黄经发 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/00;H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构LED晶圆，包括蓝宝石衬底；设置在蓝宝石衬底上的发光结构，所述发光结构还包括沟道槽，所述沟道槽刻蚀至第一半导体层，其宽度为10‑100μm；设置在沟道槽侧壁上的绝缘层；设置在沟道槽内的第一金属层，所述第一金属层与第一半导体层连接；设置在第一金属层上的第二金属层；设置在第二金属层和电流扩展层上的第三金属层；设置在硅衬底上的焊料层，其中，所述焊料层与第三金属层共晶形成一整体，以将硅衬底连接在发光结构上。相应地，本发明还提供了一种剥离方法。本发明的垂直结构LED晶圆，通过沟道槽、第一金属层、第二金属层的相互配合，以提高剥离衬底的良率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道槽 第一金属层 垂直结构LED 第二金属层 发光结构 晶圆 蓝宝石 半导体层 硅衬底 焊料层 金属层 衬底 绝缘层 剥离 电流扩展层 剥离衬 侧壁 共晶 刻蚀 良率 配合 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构LED晶圆，其特征在于，包括：蓝宝石衬底；设置在蓝宝石衬底上的发光结构，所述发光结构包括依次设置在蓝宝石衬底上的缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和电流扩展层，所述发光结构还包括沟道槽，所述沟道槽刻蚀至第一半导体层，其宽度为10‑100μm；设置在沟道槽侧壁上的绝缘层；设置在沟道槽内的第一金属层，所述第一金属层与第一半导体层连接；设置在第一金属层上的第二金属层；设置在第二金属层和电流扩展层上的第三金属层；设置在硅衬底上的焊料层，其中，所述焊料层与第三金属层共晶形成一整体，以将硅衬底连接在发光结构上。
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