[发明专利]一种具有高隧穿效率的半浮栅晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811539596.7 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109698242A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张卫;陈琳;孙清清 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/08;H01L29/165;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路器件制造技术领域，具体为一种具有高隧穿效率的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明半浮栅晶体管包括：Si衬底；形成于Si衬底中的U型槽；位于Si衬底中的嵌入式隧穿晶体管的源极；与所述嵌入式隧穿晶体管的源极相接触的第一栅极叠层；第二栅极叠层；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的栅极侧墙；以及位于所述栅极侧墙两侧的源区和漏区。本发明采用SiGe作为嵌入式晶体管的源极，以改变嵌入式晶体管的能带结构，降低源极的导带底并提高源极的价带顶；提高源极的价带顶可以使得隧穿晶体管能在更小的漏极电压的条件下实现电子从源极价带向漏极导带的隧穿，从而降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 栅极叠层 浮栅晶体管 隧穿晶体管 衬底 价带 隧穿 嵌入式晶体管 栅极侧墙 嵌入式 导带 制备 集成电路器件制造 降低功耗 漏极电压 能带结构 漏极 漏区 源区 | ||
【主权项】：
1.一种具有高隧穿效率的半浮栅晶体管，其特征在于，包括：Si衬底，具有第一掺杂类型；U型槽，形成于所述Si衬底中；嵌入式隧穿晶体管的源极，为第一掺杂类型的SiGe，位于所述Si衬底中；第一栅极叠层，包括第一栅介质层和浮栅，其中，所述第一栅介质层覆盖所述U型槽的表面并部分覆盖所述Si衬底表面，在所述Si衬底表面形成开口，所述浮栅覆盖所述第一栅介质层，在所述开口处与所述嵌入式隧穿晶体管的源极相接触；第二栅极叠层，包括第二栅介质层和多晶硅层，其中，所述多晶硅层具有第一掺杂类型，所述第二栅介质层覆盖所述浮栅表面和部分所述Si衬底表面，所述多晶硅层覆盖所述第二栅介质层；栅极侧墙，位于所述第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；以及源区和漏区，形成于所述Si衬底中，位于所述栅极侧墙两侧。
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