[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811539919.2 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109659365A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述高电子迁移率晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极，所述沟道层和所述势垒层依次层叠在所述衬底上，所述源极、所述漏极和所述栅极分别设置在所述势垒层上，所述源极和所述漏极均与所述势垒层形成欧姆接触，所述栅极与所述势垒层形成肖特基接触；所述沟道层包括第一子层和插入在所述第一子层中的第二子层，所述第一子层为未掺杂的GaN层，所述第二子层为Au/Ag纳米颗粒层。本发明通过在未掺杂的GaN层中插入Au/Ag纳米颗粒层，有利于沟道层(GaN)和势垒层(AlGaN)的异质结界面处形成有高浓度、高迁移率的二维电子气。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 子层 沟道层 高电子迁移率晶体管 漏极 源极 纳米颗粒层 未掺杂 衬底 制备 半导体技术领域 二维电子气 肖特基接触 异质结界面 高迁移率 欧姆接触 依次层叠 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极，所述沟道层和所述势垒层依次层叠在所述衬底上，所述源极、所述漏极和所述栅极分别设置在所述势垒层上，所述源极和所述漏极均与所述势垒层形成欧姆接触，所述栅极与所述势垒层形成肖特基接触；其特征在于，所述沟道层包括第一子层和插入在所述第一子层中的第二子层，所述第一子层为未掺杂的GaN层，所述第二子层为Au/Ag纳米颗粒层。
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