[发明专利]片状Ni3

摘要

本发明提供了一种片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极的制备方法，通过控制氧化剂浓度、Na2S2O3·5H2O浓度和便捷的一步溶剂热法即可实现对Ni3S2微结构的精确调控。该电极中的柱状Ni3S2阵列提供了较短的电子和离子传输途径，片状Ni3S2提供了较大的比表面积和反应活性位点，增大了与电解质的接触面积，极大的改善其电化学性能。所制备的片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极在电流密度15mA cm‑2时，面积比容量达3.36F cm‑2，在3000次循环充放电后，比容量大约保持在初始比容量的86％。

主权项

1.片状Ni₃S₂包覆柱状Ni₃S₂阵列电极的制备方法，其特征是，在柱状的Ni₃S₂材料上引导生成片状的Ni₃S₂，其制备步骤，包括以下方面：(1)将Na₂S₂O₃·5H₂O和H₂O₂溶于去离子水中配置成溶液；(2)将该溶液转移至盛有预处理后的泡沫镍的水热反应釜中，进行高温水热反应；(3)将反应冷却至室温，取出片状Ni₃S₂包覆柱状Ni₃S₂阵列电极材料的泡沫镍清洗干净，真空干燥，即得基于泡沫镍基底生长的片状Ni₃S₂包覆柱状Ni₃S₂阵列电极材料。