[发明专利]补偿目标栅极线的电压降的非易失性存储器装置在审
申请号: | 201811540991.7 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109979944A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 朴俊泓;任琫淳 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11551;H01L27/11521 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种非易失性存储器装置,所述非易失性存储器装置包括:多条栅极线,在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块,其中,第二方向垂直于第一方向;地址解码器,设置在多条栅极线的第一侧处以驱动多条栅极线;电压补偿线,在第一方向上基本平行于多条栅极线地延伸,并且在第二方向上与多条栅极线之中的目标栅极线叠置;上升竖直接触件,在第二方向上延伸以使地址解码器和电压补偿线的第一部分连接;导电路径,在第二方向上使电压补偿线的第一部分和第二部分与目标栅极线的近端部分和远端部分连接。 | ||
搜索关键词: | 栅极线 非易失性存储器装置 电压补偿 地址解码器 延伸 存储器块 导电路径 方向垂直 基本平行 电压降 触件 叠置 堆叠 近端 远端 驱动 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性存储器装置,所述非易失性存储器装置包括:多条栅极线,在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块,其中,第二方向垂直于第一方向;地址解码器,设置在所述多条栅极线的第一侧处以驱动所述多条栅极线;电压补偿线,在第一方向上基本平行于所述多条栅极线地延伸,并且在第二方向上与所述多条栅极线之中的目标栅极线叠置;上升竖直接触件,在第二方向上延伸以使地址解码器和电压补偿线的第一部分连接;近导电路径,在第二方向上使电压补偿线的第一部分和目标栅极线的近端部分连接;以及远导电路径,在第二方向上使电压补偿线的第二部分和目标栅极线的远端部分连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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