[发明专利]促进晶界周围一次γ＇相和晶内二次γ＇相析出及细化晶粒的GH4720Li加热方法

摘要

本发明促进晶界周围一次γ＇相和晶内二次γ＇相析出及细化晶粒的GH4720Li加热方法，在800‑1180℃之间采用梯度升温加热工艺，其中：小于1070℃时升温速率小于或等于1.5℃/min，大于或等于1070℃时升温速率小于或等于0.5℃/min。本发明利用廉价的室式炉，采用梯度升温加热、优化升温速率、保温温度、保温步骤以及保温时间，促进晶界周围一次γ＇相和晶内二次γ＇相析出及高度细化晶粒，提高锻件硬度；且降低内应力，使得锻造中不会出现开裂。

主权项

1.促进晶界周围一次γ＇相和晶内二次γ＇相析出及细化晶粒的GH4720Li加热方法，其特征在于，在800‑1180℃之间采用梯度升温加热工艺，其中：小于1070℃时升温速率小于或等于1.5℃/min，大于或等于1070℃时升温速率小于或等于0.5℃/min；梯度升温加热工艺具体包括如下步骤：(1)将GH4720Li合金加热至大于或等于800℃且小于或等于850℃，升温速率小于或等于1.5℃/min，然后保温不少于40min；(2)继续将GH4720Li合金加热至大于850℃且小于或等于900℃，升温速率小于或等于1.5℃/min，然后保温20min‑25min；(3)继续将GH4720Li合金加热至大于900℃且小于或等于950℃，升温速率小于或等于1.5℃/min，然后保温30min‑45min；(4)继续将GH4720Li合金加热至大于950℃且小于或等于1000℃，升温速率小于或等于1.5℃/min，然后保温40min‑45min；(5)继续将GH4720Li合金加热至大于1000℃且小于或等于1070℃，升温速率小于或等于1.5℃/min，然后保温50min‑70min；(6)继续将GH4720Li合金加热至大于1070℃且小于或等于1080℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温10min‑25min；(7)继续将GH4720Li合金加热至大于1080℃且小于或等于1090℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温10min‑25min；(8)继续将GH4720Li合金加热至大于1090℃且小于或等于1100℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温10min‑35min；(9)继续将GH4720Li合金加热至大于1100℃且小于或等于1110℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温20min‑35min；(10)继续将GH4720Li合金加热至大于1110℃且小于或等于1120℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温20min‑40min；(11)继续将GH4720Li合金加热至大于1120℃且小于或等于1130℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温20min‑40min；(12)继续将GH4720Li合金加热至大于1130℃且小于或等于1140℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温20min‑40min；(13)继续将GH4720Li合金加热至大于1140℃且小于或等于1150℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温20min‑40min；(14)继续将GH4720Li合金加热至大于1150℃且小于或等于1160℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温20min‑40min；(15)继续将GH4720Li合金加热至大于1160℃且小于或等于1170℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温20min‑40min；(16)继续将GH4720Li合金加热至大于1170℃且小于或等于1180℃，升温速率小于或等于0.5℃/min，然后保温30min‑50min。