[发明专利]一种功率半导体器件及其集电区的制造方法在审
| 申请号： | 201811541418.8 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109671772A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 王思亮;胡强;蒋兴莉 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造领域，具体涉及一种功率半导体器件及其集电区的制造方法，其包括半导体基板或具有形成于半导体基板背面的n型缓冲层的半导体基板、第一p型集电区和第二p型集电区，第一p型集电区通过对半导体基板背面的硼注入形成，第二p型集电区是通过对半导体基板背面的铝注入形成，从半导体基板的背面算起，铝注入的峰值位置比所述硼注入的峰值位置浅，铝注入的峰值浓度比所述硼注入的峰值浓度高。本发明通过硼注入形成第一p型集电区和铝注入形成第二p型集电区，在不超过退火温度范围的情况下，能够有效增加集电区载流子浓度，从而提升IGBT器件的空穴注入效率和漂移区电导调制效应，实现更低的导通压降和通态损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 集电区 功率半导体器件 峰值位置 载流子 半导体器件制造 退火 电导调制效应 空穴注入效率 导通压降 通态损耗 浓度比 漂移区 制造 背面 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，其特征在于：包括半导体基板或具有形成于半导体基板背面的n型缓冲层的半导体基板、第一p型集电区和第二p型集电区，所述第一p型集电区通过对半导体基板背面的硼注入形成，所述第二p型集电区是通过对半导体基板背面的铝注入形成，从半导体基板的背面算起，所述铝注入的峰值位置比所述硼注入的峰值位置浅，所述铝注入的峰值浓度比所述硼注入的峰值浓度高。
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