[发明专利]采用化学气相沉积法生长β-Ga2 有效
| 申请号： | 201811542186.8 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109384258B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 冯秋菊;石博;李昀铮;王德煜;高冲;李梦轲 | 申请（专利权）人： | 辽宁师范大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明公开一种无需催化剂、操作简单、重复性好、可降低制作成本且减少污染的采用化学气相沉积法生长β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 采用 化学 沉积 生长 ga base sub | ||
【主权项】：
1.一种采用化学气相沉积法生长β‑Ga2O3微米线的方法，其特征在于按如下步骤进行：a. 将纯度大于99%的氧化镓粉末和碳粉按质量比1：1.5混合后作为反应的源材料，将源材料放入石英舟内铺平，在石英舟上放置有位于源材料正上方且长度大于源材料铺平长度1~2cm的盖片，然后再将石英舟推入化学气相沉积设备石英管内的高温加热区，所述盖片材质为蓝宝石或石英；b. 向石英管中通入氩气作为载气，氩气流量为100ml/min；c. 当加热温度达到1100～1200℃时通入氧气，氧气流量为100ml/min，生长时间为30分钟；d. 关闭氧气，保持氩气流量，降温后取出石英舟，获得产品。
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