[发明专利]热处理方法有效
| 申请号： | 201811542249.X | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110010448B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 青山敬幸;加藤慎一 | 申请（专利权）人： | 株式会社思可林集团 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/285;H01L21/67;H01L21/687;H05B3/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热处理方法，用于通过对半导体基板照射光来加热该半导体基板以形成金半接触，其特征在于，具有：搬入工序，将在被注入了离子的杂质区域上形成有金属层的半导体基板搬入到腔室内，环境形成工序，在所述腔室内形成包含氢的混合气体的环境，以及加热工序，通过在所述混合气体中对所述半导体基板以1秒以下的照射时间照射光，由此对所述半导体基板加热，而不会使氢从所述半导体基板的进行了氢封端处理的栅极氧化膜的界面附近解吸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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