[发明专利]反应腔室及等离子体产生方法在审
| 申请号： | 201811542254.0 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111328174A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 丁安邦;陈鹏;傅新宇;荣延栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H05H1/42;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应腔室及等离子体产生方法，包括腔室本体、上电极机构和等离子体辅助激发装置，其中，等离子体辅助激发装置包括诱导气体容纳部、进气口和出气口，诱导气体容纳部的两端分别与进气口和出气口连通，且出气口还与腔室本体内连通；等离子体诱导气体能在诱导气体容纳部内起辉后流入腔室本体内，以辅助上电极机构使腔室本体内的工艺气体起辉。通过进气口向诱导气体容纳部内通入等离子体诱导气体，并使等离子体诱导气体起辉后经出气口流入腔室本体内；开启上电极机构，以使腔室本体内的工艺气体起辉。本发明提供的反应腔室及等离子体产生方法能够避免等离子体轰击基片，从而避免损伤基片上的膜层，提高基片加工后的工艺效果。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 等离子体 产生 方法 | ||
【主权项】：
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