[发明专利]低漏电高可靠性的夹层隔离阱

摘要

本发明提供了一种低漏电高可靠性的夹层隔离阱，包括衬底和设置在衬底上的第一隐埋层及第二隐埋层，第二隐埋层环绕第一隐埋层设置，第一隐埋层上设置有第一阱区和横向隔离阱区，横向隔离阱区包括第一夹层阱、第二夹层阱和第三夹层阱，第一夹层阱环绕第一阱区设置，第二夹层阱环绕第一夹层阱设置，第三夹层阱环绕第二夹层阱设置，第二隐埋层上设置有环绕第三夹层阱的第二阱区，横向隔离阱区的三层同电位设置；其中衬底、第二隐埋层、第一阱区、第二夹层阱和第二阱区分别为第二导电类型的半导体材料，第一隐埋层、第一夹层阱和第三夹层阱分别为第一导电类型的半导体材料。该发明具有设计科学、实用性强、反向漏电低、可靠性高的优点。

主权项

1.一种低漏电高可靠性的夹层隔离阱，其特征在于：包括衬底和分别设置在所述衬底上的第一隐埋层及第二隐埋层，所述第二隐埋层环绕所述第一隐埋层设置，所述第一隐埋层上分别设置有第一阱区和横向隔离阱区，所述横向隔离阱区包括第一夹层阱、第二夹层阱和第三夹层阱，所述第一夹层阱环绕所述第一阱区设置，所述第二夹层阱环绕所述第一夹层阱设置，所述第三夹层阱环绕所述第二夹层阱设置，所述第二隐埋层上设置有第二阱区，所述第二阱区环绕所述第三夹层阱设置，所述第一夹层阱、所述第二夹层阱和所述第三夹层阱分别同电位设置；其中所述衬底、所述第二隐埋层、所述第一阱区、所述第二夹层阱和所述第二阱区分别为第二导电类型的半导体材料，所述第一隐埋层、所述第一夹层阱和所述第三夹层阱分别为第一导电类型的半导体材料。