[发明专利]一种OTS材料、选通器单元及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811543070.6 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN111326651A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 宋志棠;宋三年;郭天琪;王昊 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种OTS材料、选通器单元及其制备方法,所述OTS材料为包括Ge、As、Se、Te、Si和P六种元素的化合物,所述OTS材料的化学通式为GeaAsbSecTexSiyPz,其中a、b、c、x、y、z均指元素的原子百分比,且5a45、10b40、15c50、0x15、0y10、0z10,同时满足a+b+c+x+y+z=100。本发明所提供的OTS材料,在外部电激励的作用下,能够实现从关断的、高电阻态向导通的、低电阻态的快速转变。而且,在撤去外部电激励时,能够由导通的、低电阻态向关断的、高电阻态快速转变。基于所述OTS材料的选通器单元,具有阈值电压低、开启速度快和开关比高等优点,可为三维高密度存储的实现提供可靠的器件基础。
搜索关键词: 一种 ots 材料 选通器 单元 及其 制备 方法
【主权项】:
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