[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201811544219.2 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110634847B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 余振华;余国宠;余俊辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/18;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在实施例中，一种器件包括：第一器件，包括：具有第一连接件的集成电路器件；第一光敏粘合层，位于集成电路器件上；以及第一导电层，位于第一连接件上，第一光敏粘合层围绕第一导电层；第二器件，包括：具有第二连接件的内插器；第二光敏粘合层，位于内插器上，第二光敏粘合层物理连接至第一光敏粘合层；以及第二导电层，位于第二连接件上，第二光敏粘合层围绕第二导电层；以及导电连接件，接合第一导电层和第二导电层，通过气隙围绕导电连接件。本发明实施例涉及半导体器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n第一器件，包括：/n集成电路器件，具有第一连接件；/n第一光敏粘合层，位于所述集成电路器件上；以及/n第一导电层，位于所述第一连接件上，所述第一光敏粘合层围绕所述第一导电层；/n第二器件，包括：/n内插器，具有第二连接件；/n第二光敏粘合层，位于所述内插器上，所述第二光敏粘合层物理连接至所述第一光敏粘合层；以及/n第二导电层，位于所述第二连接件上，所述第二光敏粘合层围绕所述第二导电层；以及/n导电连接件，接合所述第一导电层和所述第二导电层，通过气隙围绕所述导电连接件。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811544219.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
