[发明专利]一种阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201811545208.6 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109407430A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 肖诗笛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的像素电极；所述像素电极包括有效作用区和整体呈平行四边形的蚀刻区，所述蚀刻区是通过以具有透光区的光罩实施蚀刻制程来形成的；其中，所述光罩包括遮挡区和与蚀刻区对应的透光区，所述透光区的边界线所界定的图形呈平行四边形，所述透光区的边界线的顶边和底边处均设置有向遮挡区延伸的曝光补偿区。有益效果：使用带有曝光补偿区的光罩对像素电极进行蚀刻，在光罩上的透光区的边界线的顶边和底边处设置曝光补偿区，同时提出多种光罩设计补偿方案来改善实际制造效果，使得实际制造出的像素电极更加接近理论设计上的图形，以提升显示面板的穿透率。 | ||
| 搜索关键词： | 透光区 光罩 像素电极 曝光补偿 阵列基板 蚀刻区 边界线 平行四边形 衬底基板 底边处 遮挡区 顶边 制备 蚀刻 有效作用区 理论设计 设计补偿 蚀刻制程 显示面板 穿透率 界定 有向 制造 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的像素电极；所述像素电极包括有效作用区和整体呈平行四边形的蚀刻区，所述蚀刻区是通过以具有透光区的光罩实施蚀刻制程来形成的；其中，所述光罩包括遮挡区和与蚀刻区对应的透光区，所述透光区的边界线所界定的图形呈平行四边形，所述透光区的边界线的顶边和底边处均设置有向遮挡区延伸的曝光补偿区。
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