[发明专利]基于BP材料的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于BP材料的光电探测器，包括：衬底层、钝化层、吸收层及LSPR效应层；LSPR效应层、吸收层和钝化层在衬底层上依次由上至下竖直分布，其特征在于：LSPR层采用金属Al材料、吸收层采用二维黑磷材料、钝化层采用二氧化硅材料及衬底层采用Si材料，器件的源漏采用金，从而在光学吸收层Al与黑磷界面形成强烈的LSPR效应。本发明光电探测器具有超强吸收的结构，可增强光吸收和响应度能力，为有效提高BP光电探测性能铺平了道路。

主权项

1.基于BP材料的光电探测器，其特征在于：所述光电探测器是基于纳米级等离子体光栅结构的20层黑磷光电探测器，包括衬底层(4)、钝化层(3)、吸收层(2)及LSPR效应层(1)；LSPR效应层(1)、吸收层(2)和钝化层(3)在衬底层上依次由上至下竖直分布，从而形成由上而下的多层结构；其中LSPR层(1)采用金属Al材料、吸收层(2)采用二维黑磷材料、钝化层(3)采用二氧化硅材料，衬底层(4)采用Si材料，器件的源漏采用金，从而在光学吸收层Al与黑磷界面形成强烈的LSPR效应。