[发明专利]一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法以及一种电池片的制备方法

摘要

本发明公开了一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，包括以下步骤：利用激光设备对硅片的背面进行激光开槽，将激光开槽后的硅片放入沉积设备中，向所述沉积设备的沉积腔中通入反应气体SiH₄和NH₃以及N₂进行沉积以在硅片的正面镀膜。本发明的一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，将激光开槽移至正面镀膜之前进行，利用了PECVD的中高温无氧环境进行背面退火的同时还能实现正面镀膜同步完成，没有增加额外的退火工序；且该方法恢复和修复了背面高能量激光开槽后带来的热冲击、热损伤和晶格缺陷，进一步降低了激光后硅片受损表面的复合速率，还能对背面开槽（开窗）位置进行氢钝化，从而提高受激光损伤硅片的少子寿命，进一步提高太阳能电池效率。

主权项

1.一种硅片背面退火和正面镀膜一体化的方法，其特征在于，包括以下步骤：利用激光设备对硅片的背面进行激光开槽，将激光开槽后的硅片放入沉积设备中，向所述沉积设备的沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3以及N2进行沉积。