[发明专利]耐辐射线金属氧化物半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 201811547165.5 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110277450A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李熙哲;盧永卓 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 许振强;杜正国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及阻断由总剂量效应引起的泄漏电流路径并减少由单粒子效应引起的电流脉冲的影响的耐辐射线金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，上述耐辐射线金属氧化物半导体场效应晶体管包括：多晶硅栅极层(poly gate layer)，用于指定栅极(gate)区域及至少一个虚拟栅极(Dummy gate)区域；源极(source)及漏极(drain)；P+层及P‑有源层，在上述源极及漏极指定P+区域；以及虚拟漏极(Dummy Drain)，可施加电压。根据上述本发明，可提供在具有粒子辐射线和电磁波辐射线的辐射线环境下也可正常工作的电子部件。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 氧化物半导体 耐辐射 线金属 漏极 源极 电磁波辐射线 多晶硅栅极层 泄漏电流路径 单粒子效应 总剂量效应 电流脉冲 电子部件 粒子辐射 施加电压 虚拟栅极 辐射线 源层 虚拟 | ||
【主权项】：
1.一种耐辐射线金属氧化物半导体场效应晶体管，用于减少由单粒子效应引起的电流脉冲的影响，其特征在于，包括：多晶硅栅极层，用于指定栅极区域及至少一个虚拟栅极区域；源极及漏极；以及虚拟漏极，能够施加电压。
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