[发明专利]一种砷化镓太阳能电池外延结构及其生长方法

摘要

本发明涉及一种砷化镓太阳能电池外延结构及其生长方法，所述电池包括依次层叠设置的Ge底电池、GaAs中电池和GaInP顶电池，所述GaAs中电池和所述GaInP顶电池中均包括背层和发射层；所述GaAs中电池的背层包括delta掺杂的p型GaInP层，发射层包括delta掺杂的n型GaAs层；所述GaInP顶电池的背层包括delta掺杂的p型GaInP层，发射层包括delta掺杂的n型GaInP层。本发明的太阳能电池外延结构，中电池、顶电池的背层及发射层均有进行delta掺杂生长，这种delta掺杂结构能阻断晶体位错延伸、抑制晶体缺陷蔓延，提高太阳能电池外延结构的可靠性及光电转换效率。