[发明专利]OLED像素结构在审
申请号: | 201811548758.3 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN109671759A | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 王义 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种OLED像素结构,包括沿第一像素行排列的第一子像素组、沿所述第一像素行与所述第一子像素组交替排列的第二子像素组、沿第二像素行排列的第三子像素组,第一子像素组包括至少两个间隔分布的第一子像素,第二子像素组包括至少两个间隔分布的第二子像素,第三子像素组,包括至少一个第三子像素,第一像素行与第二像素行交替排列,每一第三子像素与一第一子像素和一第二子像素相邻。通过改变OLED像素的排列结构,缩小像素尺寸,从而获得较高的像素密度,进而提高面板的分辨率;同时,也增大了不同颜色子像素间的距离,有利于降低混色。 | ||
搜索关键词: | 子像素组 子像素 像素行 间隔分布 交替排列 像素 颜色子像素 排列结构 分辨率 混色 | ||
【主权项】:
1.一种OLED像素结构,其特征在于,包括:第一子像素组,沿第一像素行排列,包括至少两个间隔相邻分布的第一子像素;第二子像素组,沿所述第一像素行与所述第一子像素组交替排列,包括至少两个间隔相邻分布的第二子像素;第三子像素组,沿第二像素行排列,包括至少一个第三子像素;其中,所述第一像素行与所述第二像素行交替排列,每一所述第三子像素与一所述第一子像素和一所述第二子像素相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的