[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201811548786.5 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111341845A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 陶临钢;韩丹惠 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/207;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 赵双 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，其结构自下而上依次包括：衬底层、第一缓冲层，第二缓冲层，第三缓冲层，团簇层，外延层，沟道层，第四缓冲层和电极层；本发明In原子在GaN型主层的表面形成多个随机分布的团簇。由于In原子半径大于Ga原子半径，因此通过In原子将错位定住，使位错密度因In团簇的存在而大幅降低，使表面形貌更为光滑；此外，本发明通过采用多层缓冲层结构，并且在形成多层缓冲层结构的上层使用In，使上层的表面形貌得到大幅改善，进而提升外延层的结构质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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