[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811548981.8 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109802025A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;乔楠;张武斌;郭炳磊;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。方法包括：提供图形化蓝宝石衬底；在所述图形化蓝宝石衬底上沉积GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上沉积低压GaN层，所述低压GaN层中掺杂Al、且掺杂的Al的摩尔浓度小于0.3，所述低压GaN层的生长压力小于或等于200torr；在所述低压GaN层上顺次沉积N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 图形化蓝宝石 外延片 衬底 制备 电子阻挡层 多量子阱层 生长压力 掺杂的 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供图形化蓝宝石衬底PSS；在所述PSS上沉积GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上沉积低压GaN层，所述低压GaN层中掺杂Al、且掺杂的Al的摩尔浓度小于0.3，所述低压GaN层的生长压力小于或等于200torr；在所述低压GaN层上顺次沉积N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层。
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