[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201811549460.4 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109994383A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | G.施密特;M.巴鲁西克;B.施托伊布 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件和用于形成半导体器件的方法。一种用于形成半导体器件的方法包括将复合中心原子并入到半导体衬底中。所述方法此外包括在并入复合中心原子之后将惰性气体原子注入到二极管结构和晶体管结构中的至少一个的掺杂区中。所述掺杂区被布置在半导体衬底的表面处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 复合中心 掺杂区 衬底 半导体 惰性气体原子 二极管结构 晶体管结构 表面处 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法（100、500），所述方法包括：将复合中心原子并入（101）到半导体衬底中；以及在并入复合中心原子之后将惰性气体原子注入（102）到二极管结构和晶体管结构中的至少一个的掺杂区中，其中所述掺杂区被布置在半导体衬底的表面处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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