[发明专利]一种高增益低噪声的差分放大器有效

专利信息
申请号: 201811549565.X 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109361365B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 李素文;张国辉;张学涛;赵巍 申请(专利权)人: 天津三源兴泰微电子技术有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F3/193;H03F3/45
代理公司: 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 代理人: 姚艳
地址: 300000 天津市西青区西青经*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供一种高增益低噪声的差分放大器,包括M0、M1、M2、M7、M8、M9、M10、M13、M14在内的N型MOS管,M3、M4、M5、M6、M11、M12在内的P型MOS管,M1的源极连接M2的源极且与M0的漏极相连,M1的漏极连接在M3的源极和M5的漏极之间,M2的漏极连接在M4的源极和M6的漏极之间M4的漏极连接M12的栅极,M3的漏极连接M7的漏极,M4的漏极连接M8的漏极,M7的源极连接M9的漏极,M8的源极连接M10的漏极,M9的栅极连接M13的栅极,M10的栅极连接M14的栅极,M11的漏极连接M13的漏极,M12的漏极连接M14的漏极。本发明能够具有输出电压摆幅大、高增益、低噪声的特点。
搜索关键词: 一种 增益 噪声 差分放大器
【主权项】:
1.一种高增益低噪声的差分放大器,其特征在于:包括运算放大电路,所述运算放大电路包括M0、M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、M14,所述M0、所述M1、所述M2、所述M7、所述M8、所述M9、所述M10、所述M13、所述M14设置为N型的MOS管、所述M3、所述M4、所述M5、所述M6、所述M11、所述M12设置为P型的MOS管,所述M1的源极连接所述M2的源极且与所述M0的漏极相连,所述M0,所述M1和所述M2的栅极分别连接差分射频输入信号In1和In2,所述M1的漏极连接在所述M3的源极和所述M5的漏极之间,所述M2的漏极连接在所述M4的源极和所述M6的漏极之间,所述M3的漏极连接所述M11的栅极,所述M4的漏极连接所述M12的栅极,所述M3的栅极和所述M4的栅极连接偏置电压Vb1,所述M5、所述M6的源极均连接偏置电压Vb4,所述M5、所述M6、所述M11、所述M12的源极均接地GND,所述M3的漏极连接所述M7的漏极,所述M4的漏极连接所述M8的漏极,所述M7、所述M8的栅极均连接偏置电压Vb2,所述M7的源极连接所述M9的漏极,所述M8的源极连接所述M10的漏极,所述M0、所述M9、所述M10、所述M13、所述M14的源极均连接电源VDD,所述M9的栅极连接所述M13的栅极,所述M10的栅极连接所述M14的栅极,且所述M9、所述M10、所述M13、所述M14的栅极均连接偏置电压Vb3,所述M5、所述M6的栅极连接偏置电压Vb4,所述M11的漏极连接所述M13的漏极,所述M12的漏极连接所述M14的漏极。
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