[发明专利]具有错误纠正功能的内存和相关内存系统在审
| 申请号： | 201811550056.9 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110058955A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈和颖;张丁峰;陈俊嘉 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F12/02 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有错误纠正功能的内存和相关内存系统。所述内存包括一控制器和一储存单元阵列。所述控制器选择性地写入一写入数据至所述储存单元阵列中的一一般储存区和一备份区，以及当所述控制器从所述一般储存区读出所述一般储存区对应所述写入数据的一第一数据时，如果所述第一数据出现至少二个错误，则所述控制器读取所述备份区以输出所述备份区中对应所述写入数据的一第二数据。因此，相较于现有技术，本发明可对所述一般储存区所储存的数据上的多个错误进行纠正。 | ||
| 搜索关键词： | 储存区 写入数据 控制器 备份区 内存 储存单元阵列 错误纠正功能 第一数据 内存系统 读取 控制器选择 读出 写入 储存 输出 纠正 | ||
【主权项】：
1.一种具有错误纠正功能的内存，其特征在于，包括：一控制器；及一储存单元阵列；所述控制器选择性地写入一写入数据至所述储存单元阵列中的一一般储存区和一备份区，以及当所述控制器从所述一般储存区读出所述一般储存区对应所述写入数据的一第一数据时，如果所述第一数据出现至少二个错误，则所述控制器读取所述备份区以输出所述备份区中对应所述写入数据的一第二数据。
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