[发明专利]一种二维AMR开关传感芯片制备方法在审
申请号: | 201811550796.2 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN109490796A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 余涛;杨华;柴美荣 | 申请(专利权)人: | 贵州雅光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人: | 刘楠 |
地址: | 550081 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了一种二维AMR开关传感芯片主要由IC电路、AMR敏感单元、钝化层及引出电极组成。IC电路主要作用是获取敏感单元感知到的信号,经过处理后输出模拟信号,从而实现检测功能;AMR敏感单元是二维传感芯片的核心,主要用于感知信号并输出数字电压信号,提供给IC电路作处理;钝化层主要目的是保护敏感单元,防止敏感单元被氧化;电极的目的是方便芯片作封装处理工作,本发明能够大大降低芯片的使用面积,减少成本,降低功耗,提升产品的温度稳定性及可靠性,实现单芯片二维磁场检测。 | ||
搜索关键词: | 敏感单元 传感芯片 钝化层 二维 芯片 二维传感芯片 输出模拟信号 数字电压信号 温度稳定性 二维磁场 封装处理 感知信号 降低功耗 引出电极 单芯片 电极 检测 感知 制备 输出 | ||
【主权项】:
1.一种二维AMR开关传感芯片制备方法,其特征在于:该方法该方法采用在二维AMR开关传感芯片的含IC电路的晶圆上直接生长敏感单元,然后经过真空磁场退火工艺处理,退火时,保证设备所加的磁场在300Gauss以上,磁场方向与敏感单元成45°角,退火时间保持在3h以上;得敏感单元电桥的输出模式为:在零磁场时输出端Vout=0V,当芯片处于X方向的外加饱和磁场环境下,Vout>15mV,当芯片处于Y方向的外加饱和磁场环境下,Vout <‑15mV,经过IC电路的数模转换处理后,使得芯片最终的输出结果是,在零磁场时芯片输出电压0V,在x方向饱和磁场环境下芯片输出电压为+VIN,在y方向饱和磁场环境下芯片输出电压为‑VIN,最终结果是芯片能够检测x、y两个方向的外磁场,再生长钝化层及电极,最后封装成单一芯片。
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