[发明专利]腔室进气结构以及反应腔室在审
申请号: | 201811550798.1 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN109637952A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 徐刚;张军;郑波;马振国 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 巴晓艳 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种腔室进气结构以及反应腔室,其中的腔室进气结构包括:设置在腔室上盖上的连接件装置和设置在腔室内的喷气盘;连接件装置设置有第一混合腔,喷气盘设置有第二混合腔;多种不反应气体在第一混合腔中进行混合,混合气体通过第一混合气体通道、第二混合气体通道进入腔室内;反应气体通过第一反应气体通道、第二反应气体通道并经过第二混合腔进入腔室内。本发明的腔室进气结构以及反应腔室,能够避免发生反应的气体与其他反应气体在进入腔室前进行混合;将不直接反应的两种其他反应气体提前混合均匀,发生反应的气体通过匀流板和喷气板进行两次匀流,达到提高反应气体的在硅片上方混合和扩散均匀性的目的。 | ||
搜索关键词: | 反应气体 进气结构 混合腔 腔室 反应腔室 进入腔 反应气体通道 混合气体通道 连接件装置 喷气盘 室内 扩散均匀性 混合气体 气体通过 直接反应 喷气板 匀流板 种腔室 硅片 上盖 | ||
【主权项】:
1.一种腔室进气结构,其特征在于,包括:设置在腔室上盖上的连接件装置和设置在腔室内的喷气盘;所述连接件装置设置有第一混合腔、与所述第一混合腔相连通的第一混合气体通道、第一反应气体通道;所述喷气盘设置有第二混合腔、与所述第二混合腔相连通的第二反应气体通道、第二混合气体通道;所述第一混合气体通道与所述第一反应气体通道相互隔离,所述第二混合气体通道和所述第二反应气体通道相互隔离;多种不反应气体在所述第一混合腔中进行混合,混合气体通过所述第一混合气体通道、所述第二混合气体通道进入腔室内;反应气体通过所述第一反应气体通道、所述第二反应气体通道并经过所述第二混合腔进入腔室内,与所述混合气体进行反应;其中,所述第一混合气体通道及所述第一反应气体通道关于所述喷气盘的轴线中心对称设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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