[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法以及液晶显示装置在审

专利信息
申请号: 201811551037.8 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109979945A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 美崎克纪 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;张艳凤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供能使TFT特性稳定化的薄膜晶体管基板和具备其的液晶显示装置以及薄膜晶体管基板的制造方法。一种具备底栅结构的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板,是薄膜晶体管的半导体层具有In‑Ga‑Zn‑O系的第1氧化物半导体层和In‑Ga‑Zn‑O系的第2氧化物半导体层的薄膜晶体管基板,在第1氧化物半导体层中,铟的组成比大于镓和锌的各组成比,第2氧化物半导体层以覆盖第1氧化物半导体层的方式设置,其中镓的组成比大于铟和锌的各组成比。
搜索关键词: 薄膜晶体管基板 氧化物半导体层 组成比 液晶显示装置 薄膜晶体管 半导体层 底栅结构 方式设置 稳定化 制造 覆盖
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管基板,具备:基底基板;以及薄膜晶体管,其具有:栅极电极,其设置在上述基底基板上;栅极绝缘膜,其以覆盖上述栅极电极的方式设置;半导体层,其以与上述栅极电极重叠的方式设置在上述栅极绝缘膜上;以及源极电极和漏极电极,其以各自一部分连接到上述半导体层的方式并且以在上述半导体层上相互相对的方式设置,上述薄膜晶体管基板的特征在于,上述半导体层具有:第1半导体层,其包括第1氧化物半导体;以及第2半导体层,其以覆盖上述第1半导体层的方式设置,包括第2氧化物半导体。
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