[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法以及液晶显示装置在审
申请号: | 201811551037.8 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN109979945A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 美崎克纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供能使TFT特性稳定化的薄膜晶体管基板和具备其的液晶显示装置以及薄膜晶体管基板的制造方法。一种具备底栅结构的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板,是薄膜晶体管的半导体层具有In‑Ga‑Zn‑O系的第1氧化物半导体层和In‑Ga‑Zn‑O系的第2氧化物半导体层的薄膜晶体管基板,在第1氧化物半导体层中,铟的组成比大于镓和锌的各组成比,第2氧化物半导体层以覆盖第1氧化物半导体层的方式设置,其中镓的组成比大于铟和锌的各组成比。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管基板 氧化物半导体层 组成比 液晶显示装置 薄膜晶体管 半导体层 底栅结构 方式设置 稳定化 制造 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管基板,具备:基底基板;以及薄膜晶体管,其具有:栅极电极,其设置在上述基底基板上;栅极绝缘膜,其以覆盖上述栅极电极的方式设置;半导体层,其以与上述栅极电极重叠的方式设置在上述栅极绝缘膜上;以及源极电极和漏极电极,其以各自一部分连接到上述半导体层的方式并且以在上述半导体层上相互相对的方式设置,上述薄膜晶体管基板的特征在于,上述半导体层具有:第1半导体层,其包括第1氧化物半导体;以及第2半导体层,其以覆盖上述第1半导体层的方式设置,包括第2氧化物半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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