[发明专利]一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺

摘要

本发明涉及一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺，干法黑硅电池片镀膜时要求石墨舟的饱和性低于常规电池片镀膜所使用的石墨舟，无需对反应离子刻蚀工艺和PECVD镀膜工艺进行更改，只需通过调试石墨舟饱和工艺的温度，镀膜步的时间、气体流量及射频辉光功率来降低石墨舟的饱和性，且此饱和工艺时间与原饱和工艺比时间大大缩短，气体流量也相对减少，这均可提高产能降低生产成本，增加黑硅电池片边缘石墨舟舟片吸收氮化硅能力，解决干法黑硅电池片边缘发白。

主权项

1.一种改善多晶RIE黑硅电池边缘发白石墨舟饱和工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：(1)进舟步，将酸溶液洗后的石墨舟，进行烘干，烘干后送入管式PECVD炉管内进行石墨舟饱和工艺；(2)炉门关闭后，将炉口至炉尾的温度升高，压力维持在0‑500mTorr；(3)预清洗步时间为100‑200s，保持步骤(2)的温度，通入氮气，炉管内压力控制在1000‑2000mTorr；(4)抽真空步时间维持20‑60s，保持步骤(2)的温度，压力抽到0mTorr；(5)检漏步时间维持10‑40s，压力恢复至10000mTorr，同时升温，以确保炉管的密封性；(6)抽真空步时间维持20‑60s，保持步骤(5)的温度，压力抽至0mTorr；(7)预镀膜时间维持在50‑200s，保持步骤(5)的温度，通入氨气，压力控制在1000‑2000mTorr；(8)镀膜时间为0‑9000s，保持步骤(5)的温度，通入硅烷，氨气，压力控制在1000‑2000mTorr；(9)抽真空步，时间维持在20‑80s，降温，压力抽至0mTorr；(10)清洗步时间20‑80s，保持步骤(9)的温度，通入氮气，压力控制在0mTorr；(11)充氮回压步，时间维持在60‑120s，保持步骤(9)的温度，通入氮气，压力回复至10000mTorr；(12)出舟步，时间为160‑200s，保持步骤(9)的温度，通入氮气，压力为10000mTorr。