[发明专利]一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法在审
| 申请号： | 201811551660.3 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109741783A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王彬;李铁 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，将NAND Flash读操作特性测试与机器学习的线性回归算法相结合，挖掘出最佳NAND Flash存储器读操作电平与NAND Flash存储器数据稳定性影响因素(PE、Retention Time、Read Disturb)之间的线性关系。产品在读取NAND Flash存储器之前通过该线性关系找到当前对应的最佳电平，从而降低硬件纠错失败的概率，避免产品的读操作性能的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 读操作 线性关系 读取 线性回归算法 数据稳定性 操作性能 机器学习 特性测试 影响因素 纠错 挖掘 概率 失败 | ||
【主权项】：
1.一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、对多个或者单个NAND Flash进行批量测试，得到PE、Retention Time、Read Disturb处于不同阶段时对应的最佳读电平的值，并进行记录，PE指NAND Flash块的磨损次数，Retention Time指从数据写入NAND Flash开始，到第一次读取数据的时间长度，Read Disturb是指NAND Flash块的读操作次数；S02）、将批量测试得到的数据输入机器学习的线性回归模型，得出最佳读电平与PE、Retention Time、Read Disturb之间的线性函数；S03）、用户在对NAND Flash进行读操作之前，将当前PE、Retention Time、Read Disturb参数传入步骤S02得到的线性函数，从而得到当前最佳的读电平。
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