[发明专利]半导体器件的闪烁噪声模型及其提取方法在审
| 申请号： | 201811553648.6 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109635471A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 张瑜;商干兵 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的闪烁噪声模型，涉及半导体集成电路，所述半导体器件包括一沟道区和一有源区，所述沟道区的长度为L，所述有源区的宽度为W，且所述半导体器件位于一阱内，所述阱包括一X轴方向和一Y轴方向，其中X轴方向为所述阱的横向方向，Y轴方向为所述阱的纵向方向，其特征在于，所述闪烁噪声模型为：Sid＝KF(T)*IAF(T)/(Coxe*LeffLf*WeffWf*fEF(T))，其中，KF(T)、AF(T)和EF(T)分别为温度T的函数，W为有源区的宽度，L为沟道区的长度，f为器件的频率，T0为常温，TC1KF、TC1AF、TC1EF、TC2EF、TC2KF、TC2AF、KFT0、AFT0和EFT0为与温度T相关的参数，使半导体器件的闪烁噪声模型增加了温度的影响，更加精确的反应半导体器件的闪烁噪声，适用性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 噪声模型 闪烁 沟道区 源区 半导体集成电路 横向方向 噪声 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的闪烁噪声模型，用于表征所述半导体器件的闪烁噪声，所述半导体器件包括一沟道区和一有源区，所述沟道区的长度为L，所述有源区的宽度为W，且所述半导体器件位于一阱内，所述阱包括一X轴方向和一Y轴方向，其中X轴方向为所述阱的横向方向，Y轴方向为所述阱的纵向方向，其特征在于，所述闪烁噪声模型为：Sid＝KF(T)*IAF(T)/(Coxe*LeffLf*WeffWf*fEF(T))其中，KF(T)、AF(T)和EF(T)分别为温度T的函数，其表达式如下：![]()
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其中，W为有源区的宽度，L为沟道区的长度，f为器件的频率，T0为常温，TC1KF、TC1AF、TC1EF、TC2EF、TC2KF、TC2AF、KFT0、AFT0和EFT0为与温度T相关的参数。
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