[发明专利]一种基于硒化铟晶体管的PVDF压电传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201811553659.4 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109509831A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 韩琳;姜建峰;桑元华;王孚雷;张宇;刘宏 | 申请（专利权）人： | 山东大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/193;H01L41/22;H01L27/06;H01L27/20;H01L29/24 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于硒化铟晶体管的PVDF压电传感器及其制作方法，属于压电传感器领域，包括P型硅片、二氧化硅薄膜、三氧化二铝薄膜、金属电极、InSe纳米薄膜和PVDF薄膜，P型硅片的一侧上表面设置二氧化硅薄膜、三氧化二铝薄膜和InSe纳米薄膜，InSe纳米薄膜上设置有PMMA层，两个金属电极固定于InSe纳米薄膜上，P型硅片的另一侧上表面设置有PVDF薄膜，PVDF薄膜上下表面均设有一层Au，Au与金属电极相连。本发明选择具有高灵敏、高迁移率的二维硒化铟材料和具有优异压电特性的PVDF薄膜来提供信号，使用晶体管的本征放大作用，放大由PVDF提供的压力信号，大大提高压力传感器的检测精度以及灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米薄膜 金属电极 硒化铟 晶体管 三氧化二铝薄膜 二氧化硅薄膜 上表面 压电传感器 压力传感器 放大作用 高迁移率 上下表面 压电特性 压力信号 灵敏度 本征 二维 制作 灵敏 放大 检测 | ||
【主权项】：
1.一种基于硒化铟晶体管的PVDF压电传感器，其特征在于，包括P型硅片、二氧化硅薄膜、三氧化二铝薄膜、两个金属电极、InSe纳米薄膜和PVDF薄膜，所述P型硅片的一侧上表面依次设置所述二氧化硅薄膜、三氧化二铝薄膜和InSe纳米薄膜，所述InSe纳米薄膜上还设置有PMMA层，两个金属电极固定于InSe纳米薄膜上，所述P型硅片的另一侧上表面设置有所述PVDF薄膜，所述PVDF薄膜上下表面均设有一层Au，所述Au与金属电极之间相连。
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