[发明专利]半导体器件STI形貌的监控方法、其应用方法及改善TCR结构的方法有效
| 申请号： | 201811554063.6 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109637945B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 冯奇艳;吴智勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种半导体器件浅沟槽隔离刻蚀形貌的监控方法，涉及微电子技术领域，包括S1：运用光学线宽测量仪，对不同工艺刻蚀时间的半导体器件STI结构收集半导体器件的实际测量光谱；S2：建模定义TCR结构的理论模型结构；S3：切片确定TCR结构的实际数据；S4：根据步骤S1收集的实际测量光谱和步骤S2的理论模型结构，通过进一步分析计算，得到TCR结构的量测程式库文件；S5：利用量测程式库文件，收集需要监控的TCR结构的参数的理论数据，并建立理论数据和步骤S3收集的实际数据的对应关系，并确认两者的相关性系数R |
||
| 搜索关键词： | 半导体器件 sti 形貌 监控 方法 应用 改善 tcr 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件浅沟槽隔离刻蚀形貌的监控方法，其中该半导体器件包括浅沟槽隔离刻蚀(STI)有源区硅材料上顶部边角圆化工艺(Top corner rounding,TCR)结构，其特征在于，包括：S1：运用光学线宽测量仪，对不同工艺刻蚀时间的半导体器件STI结构收集半导体器件的实际测量光谱；S2：通过建模软件建模定义TCR结构的理论模型结构；S3：对不同工艺刻蚀时间和晶圆位置的半导体器件的STI结构进行切片确定TCR结构的实际数据；S4：根据步骤S1收集的实际测量光谱和步骤S2的理论模型结构，通过进一步分析计算，进而得到TCR结构的量测程式库文件；S5：然后利用得到的量测程式库文件，收集需要监控的TCR结构的参数的理论数据，并建立理论数据和步骤S3收集的实际数据的对应关系，并确认两者的相关性系数R2；以及S6：利用相关性系数R2及步骤S4得到的量测程式库文件得到TCR结构的参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811554063.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
