[发明专利]硅基电感结构及其中的封闭线的版图有效
| 申请号： | 201811554076.3 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109637999B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 晏颖;金建明;龚政 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基电感结构，涉及半导体集成电路，包括：衬底；电感线圈，位于所述衬底上；一封闭金属线和一封闭多晶硅线，所述封闭金属线和所述封闭多晶硅线位于所述衬底与所述电感线圈之间，所述封闭金属线位于所述封闭多晶硅线之上，所述封闭金属线与所述封闭多晶硅线通过通孔连接，并所述封闭金属线接地，其中，所述封闭金属线包括多个相邻的线段，所述封闭多晶硅线包括多个相邻的线段，且在电感磁场变换下，所述封闭金属线的相邻线段间产生相反方向的互补电流，所述封闭多晶硅线的相邻线段间产生相反方向的互补电流，以降低衬底损耗、有效提高电感的品质因子。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 结构 及其 中的 封闭 版图 | ||
【主权项】：
1.一种硅基电感结构，其特征在于，包括：衬底；电感线圈，位于所述衬底上；一封闭金属线和一封闭多晶硅线，所述封闭金属线和所述封闭多晶硅线位于所述衬底与所述电感线圈之间，所述封闭金属线位于所述封闭多晶硅线之上，所述封闭金属线与所述封闭多晶硅线通过通孔连接，并所述封闭金属线接地，其中，所述封闭金属线包括多个相邻的线段，所述封闭多晶硅线包括多个相邻的线段，且在电感磁场变换下，所述封闭金属线的相邻线段间产生相反方向的互补电流，所述封闭多晶硅线的相邻线段间产生相反方向的互补电流。
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