[发明专利]一种激元介导自由电子发射的纳米复合结构及制备方法在审
| 申请号： | 201811554625.7 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109767960A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 邓少芝;沈岩;陈焕君;许宁生 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激元介导自由电子发射的纳米复合结构，所述纳米复合结构包括金属纳米颗粒和电子发射阴极，所述金属纳米颗粒修饰在所述电子发射阴极的材料表面上。还公开了一种激元介导自由电子发射的纳米复合结构的制备方法，采用离子溅射和高温退火方法，对电子发射阴极的表面进行金属纳米颗粒修饰，形成发射体与金属纳米颗粒的复合结构。通过光场激发金属纳米颗粒的局域表面等离激元共振，引起近电磁场的局域增强，同时等离激元的弛豫产生热电子，热电子注入相邻的电子发射阴极材料，并最终从电子发射阴极的材料表面隧穿发射；提升了阴极结构电子的发射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电子发射阴极 金属纳米颗粒 纳米复合结构 自由电子 介导 发射 等离激元 热电子 修饰 制备 发射效率 复合结构 高温退火 近电磁场 局域表面 离子溅射 阴极结构 发射体 共振 弛豫 光场 隧穿 激发 | ||
【主权项】：
1.一种激元介导自由电子发射的纳米复合结构，其特征在于，所述纳米复合结构包括金属纳米颗粒和电子发射阴极，所述金属纳米颗粒修饰在所述电子发射阴极的材料表面上，所述金属纳米颗粒的表面在光照下有等离激元效应。
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