[发明专利]倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列的制备方法，具体步骤包括在硅基衬底下表面制备器件的阳极；在所述硅基衬底上表面刻蚀出阵列排布的隔离沟道并进行填充；在硅基衬底上腐蚀出阵列排布的凹槽，在所述凹槽内分别制备绝缘层、阴极、非耗尽层、倍增层和场控层；在场控层表面和硅基衬底表面同时沉积吸收层；在吸收层表面制备增透膜。本发明提出的通过MOEMS工艺和半导体材料生长相结合的方法制备倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列，可以提高器件的集成度和可靠性，以及改善电极的欧姆接触。

主权项

1.一种倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1：先选取p⁺型厚度为2～500μm的硅片作为衬底材料，对硅片进行清洁处理，在硅片背面制备一层10nm～5000nm厚的金属作为器件的阳极，所述金属为Au、Ag、Cu、Al、Cr、Ni、Ti中的一种或几种的合金；S2：对硅片表面进行清洁处理，然后烘干，在硅片表面涂覆光刻胶，通过光刻工艺制备掩膜图形；S3：制备SiO₂掩膜层，然后去除硅片表面的光刻胶，去除部分硅片形成0.1～20μm深的凹槽；S4：对硅片进行表面清洁处理，然后烘干，在硅片表面涂覆光刻胶，通过光刻工艺制备阴极的掩膜图形；S5：制备SiO₂掩膜层，然后在硅片表面制备一层10nm～5000nm厚的金属作为器件的阴极，所述金属为Au、Ag、Cu、Al、Cr、Ni、Ti中的一种或几种的合金；S6：去除硅片表面的光刻胶和SiO₂层，并进行表面清洁处理，再次在硅片表面涂覆光刻胶，通过光刻工艺制备出掩膜图形；S7：在阴极表面依次沉积非耗尽层、倍增层和场控层；去除表面光刻胶，然后对外延片表面做清洁处理，烘干；再次在外延片表面涂覆光刻胶，通过光刻工艺制备出吸收层的掩膜图形；S8：在外延片表面沉积一层π型硅外延层作为吸收层，然后去除光刻胶。