[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管面板在审

专利信息
申请号: 201811555415.X 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109671760A 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 黄伟杰;李鹏 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种有源矩阵有机发光二极管面板,可避免显示区域边缘处产生色偏现象的AMOLED面板,使非常规像素结构处不以固定规律方式排列的RGB像素单元与相应的阳极材料层处于浮接状态,避免非常规像素结构的像素单位在接收到图像显示控制信号时,因无法对应图像显示控制信号正常显示相应的图像,而产生色偏现象的问题,从而使屏幕正常显示,改善色偏现象的问题。
搜索关键词: 色偏现象 有机发光二极管面板 图像显示控制 像素结构 正常显示 源矩阵 显示区域边缘 阳极材料层 浮接状态 固定规律 像素单位 图像 屏幕
【主权项】:
1.一种避免显示区域边缘处产生色偏现象的有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)面板,其特征在于,所述AMOLED面板包括:基板;常规像素结构,所述常规像素结构包括:第一多晶和栅极层制作于所述基板上;第一间绝缘层制作于所述第一多晶和栅极层上,并且在所述第一间绝缘层及所述第一多晶和栅极层上与第一源极层和第一漏极层的相应位置处形成第一过孔,所述第一源极层和所述第一漏极层分别制作于所述第一间绝缘层上相应位置处的所述第一过孔内并延伸至所述第一过孔外;第一平坦化层制作于所述第一间绝缘层、所述第一源极层与所述第一漏极层上,所述第一平坦化层覆盖所述第一间绝缘层、所述第一源极层与所述第一漏极层,并在所述第一平坦化层上与所述第一漏极层相应的位置处形成第二过孔;第一阳极材料层制作于所述第一平坦化层上,并使所述第一阳极材料层经由所述第二过孔延伸并与所述第一漏极层电连接;第一像素定义层制作于所述第一阳极材料层,所述第一像表定义层仅覆盖部份所述第一阳极材料层;及非常规像素结构,所述非常规像素结构包括:第二多晶和栅极层制作于所述基板上;第二间绝缘层制作于所述第二多晶和栅极层上,并且在所述第二间绝缘层上及所述第二多晶和栅极层上与第二源极层和第二漏极层的相应位置处形成第三过孔,所述第二源极层和所述第二漏极层分别制作于所述第二间绝缘层上相应位置处的所述第三过孔内并延伸至所述第三过孔外;第二平坦化层制作于所述第二间绝缘层、所述第二源极层与所述第二漏极层上,所述第二平坦化层覆盖所述第二间绝缘层、所述第二源极层与所述第二漏极层;第二阳极材料层制作于所述第二平坦化层上;第二像素定义层制作于所述第二阳极材料层上,所述第二像表定义层仅覆盖部份所述第二阳极材料层。
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