[发明专利]通过在发射结构上添置转换结构的光电设备的制造方法

摘要

本发明涉及一种用于基于GaN制成的光电设备(1)的制造方法，该光电设备包括适于发射第一波长(λ₁)的第一光辐射的发射结构(10)，所述方法包括以下步骤：i.实现生长结构(20)，该生长结构包括由至少部分地松弛的In_x2Ga_1‑x2N制成的晶种层(23)；ii.实现转换结构(30)，该转换结构包括适于发射第二波长(λ₂)的光辐射的发射层(33)和基于InGaN制成的吸收层(34)；iii.将所述转换结构(30)添置到所述发射结构(10)上，以使得吸收层(34)位于发射结构(10)与转换结构的所述发射层(33)之间。

主权项

1.一种用于基于GaN制成的光电设备(1)的制造方法，该光电设备包括：发射结构(10)，该发射结构包括适于发射第一波长(λ₁)的第一光辐射的有源区域(13)，所述方法包括以下步骤：i.实现生长结构(20)，该生长结构包括o由至少部分地松弛的In_x2Ga_1‑x2N制成的晶种层(23)，x2是铟原子比例；ii.通过自所述生长结构(20)的外延生长实现转换结构(30)，该转换结构包括：o自所述晶种层(23)基于InGaN制成的包括适于发射第二波长(λ₂)的光辐射的有源区域(33)的发射层(33)，其中所述第二波长比第一波长(λ₁)更长，和o自所述发射层(33)基于InGaN制成的适于至少部分地吸收所述第一光辐射的吸收层(34)；iii.将所述转换结构(30)添置到所述发射结构(10)上，以使得所述吸收层(34)位于所述发射结构(10)与所述转换结构(30)的所述发射层(33)之间。