[发明专利]一种制备垂直阵列碳纳米管的方法在审

专利信息
申请号: 201811555980.6 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN109336088A 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 耿磊;李岩;蒋兴华;王哲;王莲莲;吕振华 申请(专利权)人: 山东斯恩特纳米材料有限公司
主分类号: C01B32/162 分类号: C01B32/162;B01J23/881;B01J23/887;B01J21/18
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 程沙沙
地址: 257000 山东省东营市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 本申请属于纳米技术领域,具体为一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,制备步骤如下:(1)用去离子水配置金属盐溶液A;(2)将片层状钛酸盐加入溶液A中并搅拌均匀得混合液;(3)在搅拌状态下向混合液中滴加沉淀剂,后继续搅拌0.5‑4h,静置1‑2h得混合物;(4)将步骤(3)所得混合物进行焙烧、筛分、还原后得初催化剂;(5)初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管。
搜索关键词: 垂直阵列 碳纳米管 制备 混合物 混合液 催化剂 焙烧 纳米技术领域 层状钛酸盐 金属盐溶液 去离子水 沉淀剂 滴加 还原 配置 申请
【主权项】:
1.一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,其特征在于,制备步骤如下:(1)用去离子水配置金属盐溶液A;(2)将片层状钛酸盐加入溶液A中并搅拌均匀得混合液;(3)在搅拌状态下向混合液中滴加沉淀剂,后继续搅拌0.5‑4h,静置1‑2h得混合物;(4)将步骤(3)所得混合物进行焙烧、筛分、还原后得初催化剂;(5)初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管。
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