[发明专利]一种Ge（Ⅱ）前驱体及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201811556095.X | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111333546A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王权;刘琦 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | C07C261/04 | 分类号： | C07C261/04;C07C243/14;C07C245/06;C23C16/18;C07C241/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ge(Ⅱ)前驱体及其制备方法和应用，所述Ge(Ⅱ)前驱体是由如式(A)、式(B)或式(C)所示的配体与锗的二氯化物通过配位作用形成的配位化合物；所述锗的二氯化物包括二氯化锗、二氯化锗水合物或二氯化锗配合物。其制备方法为在保护性气体保护下，将配体与烷基锂进行反应，得到锂盐；再将锂盐与锗的二氯化物进行反应，得到所述Ge(Ⅱ)前驱体。该制备方法制备工艺简单、条件温和、原料低廉、能耗低、经济环保，且制备得到的Ge(Ⅱ)前驱体具有优良的热稳定性、挥发性、成膜性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ge 前驱 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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