[发明专利]一种HDDR制备钕铁硼材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811556533.2 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109659108B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 刘荣明;刘冬;熊君;张康;周小文;刘辉;王倩;贾立颖;李炳山 | 申请（专利权）人： | 北矿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王焕 |
| 地址： | 100000 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及钕铁硼材料技术领域，尤其是涉及一种HDDR制备钕铁硼材料及其制备方法。所述方法，包括如下步骤：以at％计，按Nd |
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| 搜索关键词： | 一种 hddr 制备 钕铁硼 材料 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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