[发明专利]具有垂直延伸结构的组合件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811556564.8 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109994487B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | D·R·埃科诺米;J·M·梅尔德里姆;李浩宇;Y·J·胡;C·W·佩茨;D·比林斯利;E·A·麦克蒂尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B43/20 | 分类号： | H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及具有垂直延伸结构的组合件及其形成方法。一些实施例包含组合件，其具有沟道材料柱且具有沿着所述沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述沟道材料柱下方。所述导电结构具有与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料。镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。一些实施例包含形成组合件的方法。形成结构，且抵靠所述结构的上表面形成块状物。在所述块状物中的开口内形成插塞。所述插塞包括第一材料上方的第二材料。所述第一材料包含镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者。开口经形成以终止于所述第一材料上，且接着延伸穿过所述第一材料。在所述开口内形成沟道材料柱。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 延伸 结构 组合 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种组合件，其包括：沟道材料柱，其垂直地延伸；存储器单元，其沿着所述沟道材料柱；导电结构，其在所述沟道材料柱下方且包括与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料；及镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者，其沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。
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