[发明专利]一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管，包括：衬底层；外延层，位于衬底层上层；欧姆接触层，位于外延层中间的上层；第一漂移区，位于欧姆接触层中间的上层；第二漂移区，位于第一漂移区上层；雪崩区，位于第二漂移区上层；欧姆接触电极，位于欧姆接触层两侧和欧姆接触层两侧的上层；第一钝化层，位于欧姆接触层上层和欧姆接触电极上层，且位于第一漂移区两侧、第二漂移区两侧和雪崩区两侧；第二钝化层，位于第一钝化层上层；肖特基接触电极，位于雪崩区上层和第二钝化层上层。本发明提出的二极管，提高了雪崩区载流子电离率，雪崩效应被限制在雪崩区，减小了雪崩区宽度，改善了功率输出能力。

主权项

1.一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管，其特征在于，包括：衬底层(1)；外延层(2)，位于所述衬底层(1)上层；欧姆接触层(3)，位于所述外延层(2)中间的上层；第一漂移区(4)，位于所述欧姆接触层(3)中间的上层；第二漂移区(5)，位于所述第一漂移区(4)上层；雪崩区(6)，位于所述第二漂移区(5)上层；欧姆接触电极(7)，位于所述欧姆接触层(3)两侧和所述欧姆接触层(3)两侧的上层；第一钝化层(8)，位于所述欧姆接触层(3)上层和所述欧姆接触电极(7)上层，且位于所述第一漂移区(4)两侧、所述第二漂移区(5)两侧和所述雪崩区(6)两侧；第二钝化层(9)，位于所述第一钝化层(8)上层；肖特基接触电极(10)，位于所述第二钝化层(9)上层。