[发明专利]空白掩模和光掩模有效
| 申请号： | 201811558340.0 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN110716388B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 申澈;李锺华;梁澈圭;崔珉箕 | 申请（专利权）人： | 思而施技术株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 亓赢 |
| 地址： | 韩国大邱广*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含：遮光膜，设置在透明衬底上；以及硬掩模膜，设置在遮光膜上且包括钼铬(MoCr)。因此，硬掩模膜不仅具有提高的蚀刻速度，且还具有对氟(F)基干式蚀刻的足够的耐蚀刻性，以使得可减小对抗蚀剂膜的蚀刻负载且可改善硬掩模膜图案和遮光膜图案的线边缘粗糙度(LER)，从而形成用于高精确度图案印刷的光掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 空白 光掩模 | ||
【主权项】：
1.一种空白掩模，包括：/n透明衬底；/n遮光膜，设置在所述透明衬底上；以及/n硬掩模膜，设置在所述遮光膜上且包括铬以及一个或多个种类的金属。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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