[发明专利]一种硅光相干收发芯片结构在审

专利信息
申请号: 201811558862.0 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN109474343A 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 王磊;肖希;陈代高;张宇光;李淼峰;胡晓;冯朋;余少华 申请(专利权)人: 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
主分类号: H04B10/40 分类号: H04B10/40
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 彭程程
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种硅光相干收发芯片结构,涉及光子集成器件领域。该硅光相干收发芯片结构包括硅光集成芯片和可调谐激光器,可调谐激光器包括半导体光放大器以及集成于硅光集成芯片的耦合器、双向功率分配器、分束器、第一选模结构和第二选模结构,半导体光放大器设置于硅光集成芯片边缘,其透射端靠近耦合器设置,耦合器、双向功率分配器和分束器依次通过光波导连接,分束器的两个分端口分别连接第一选模结构和第二选模结构。本发明的硅光相干收发芯片结构,有效地利用第一选模结构和第二选模结构反射回双向功率分配器的光,节省了器件的功耗,节约能量。
搜索关键词: 硅光 选模 收发芯片 相干 集成芯片 双向功率 分配器 分束器 耦合器 半导体光放大器 可调谐激光器 光子集成器件 光波导连接 透射端 有效地 功耗 反射 节约
【主权项】:
1.一种硅光相干收发芯片结构,其特征在于,其包括:硅光集成芯片(9);可调谐激光器,其包括半导体光放大器(1)以及集成于所述硅光集成芯片(9)的耦合器(2)、双向功率分配器(3)、分束器(4)、第一选模结构(5)和第二选模结构(6),所述半导体光放大器(1)设置于所述硅光集成芯片(9)边缘,其透射端靠近所述耦合器(2)设置,所述耦合器(2)、双向功率分配器(3)和分束器(4)依次通过光波导连接,所述分束器(4)的两个分端口分别连接第一选模结构(5)和第二选模结构(6)。
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